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ダイヤモンド基板上GaN半導体市場 – 2032年までの機会と分析
ダイヤモンド基板上GaN（窒化ガリウム）半導体市場は、ダイヤモンド基板上に窒化ガリウムを含む半導体の研究、製造、使用に関連する産業を指す。これにより放熱性や電流伝導性が向上するため、高電力・高周波用途に適している。ダイヤモンド基板上のGaNは高温環境下での動作特性から、パワーエレクトロニクス、RF関連アプリケーション、光電子デバイスにおいて極めて重要である。この特定市場は、通信、自動車、家電製品など多様な用途における高性能電子機器の需要拡大によって大きく牽引されている。
IMR
説明
ダイヤモンド基板上の窒化ガリウム半導体市場概要
ダイヤモンド基板上のGaN半導体市場規模は2023年に345億米ドルと評価され、2032年までに897億米ドルに達すると予測されており、2024年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）11.2％で成長する見込みである。
ダイヤモンド基板上のGaN（窒化ガリウム）半導体市場は、ダイヤモンド基板上に窒化ガリウムを含む半導体の研究、製造、使用に関連する産業を指す。これにより放熱性や電流の流れが改善されるため、高電力・高周波用途に適している。ダイヤモンド基板上のGaNは、高温環境下での動作特性から、パワーエレクトロニクス、RF関連アプリケーション、光電子デバイスにおいて極めて重要である。この特定市場は、通信、自動車、家電製品など多様な用途における高性能電子機器の需要拡大に大きく牽引されている。
ダイヤモンド半導体基板上のGaN市場は、半導体材料とその用途の発展が進む中で驚異的な成長を遂げています。従来のシリコン基板ベースの方法は電力密度と効率に制限があるため、ダイヤモンド上のGaNはデバイス周波数と電圧を供給できるデバイス層として有望視されています。市場を牽引する応用分野には、通信用高周波増幅器、電力変換器、高エネルギーレーザーなどが含まれ、これら全てにおいて優れた熱管理を伴う高効率が要求される。さらに、自動車分野におけるエネルギー効率化システムや再生可能エネルギー源などへの需要増加が、ダイヤモンド基板上GaN技術の普及を促進する見込みである。
さらに、ダイヤモンド基板へのGaN堆積技術の進展は、過酷な環境下での動作におけるデバイスの堅牢性を劇的に向上させており、これが航空宇宙・防衛産業からの強い関心の背景にある。現在の研究開発は、ダイヤモンド基板の活用による製造方法の高度化とGaNコスト低減に向けられている。研究機関と半導体メーカーの緊密な連携がGaN応用分野の開拓と新開発を促進している。電子産業が新電子デバイスの要求、特に放熱性能に対応するため高性能材料を求める中、この市場は大幅な成長が見込まれる。
ダイヤモンド基板上の窒化ガリウム半導体市場動向分析
ダイヤモンド基板上のGaNの採用拡大
製品エレクトロニクスの小型化と高効率化が、ダイヤモンド基板上のGaN半導体に対する需要を牽引している。現代産業はデバイスを可能な限り小型化しつつ、最大限の性能を引き出すことを目指しており、ダイヤモンド基板は優れた熱伝導性を有する。この特性を活かすことで、GaNデバイスをより高い放熱能力で実装可能となり、同サイズの他デバイスよりも高出力動作を実現できる。この傾向は特に通信産業で顕著であり、5Gネットワークを支える次世代RF増幅器にはGaN on Diamond技術が不可欠となっている。高性能・高エネルギー効率を要求する革新的な顧客が、メーカーに対しGaN on Diamondを製品ラインに組み込む方法を模索させている。この先進半導体技術の多くの利点を実現できる可能性から、市場には投資と開発の流入が見込まれる。
新興市場における拡大
製造技術と材料科学は絶えず進歩しており、これはダイヤモンド基板上のGaN半導体市場に大きな機会をもたらす見込みである。ダイヤモンド基板上のGaN技術の効率向上やコスト削減に向けた研究が進むにつれ、メーカーはその応用分野を拡大する可能性が高い。さらに、電子機器における持続可能性とエネルギー効率を可能にする電力管理ソリューションへの需要増加も、ダイヤモンド基板上のGaN技術を電子機器の進歩における主要な推進力として位置付け、市場導入と成長を比較的急速なペースで促進する独自の道筋を提供している。
ダイヤモンド基板上GaN半導体市場セグメント分析：
ダイヤモンド基板上のGaN半導体市場は、タイプ、用途、エンドユーザーに基づいてセグメント化されています。
タイプ別では、予測期間中に単結晶ダイヤモンドセグメントが市場を支配すると予想される
予測期間中、単結晶ダイヤモンドは、他のタイプのダイヤモンド基板と比較して優れた熱的・電気的特性を有するため、GaN on Diamond半導体基板市場において最大の市場シェアを占めると予想される。単結晶ダイヤモンドは、高電力電子デバイスで発生する熱を放散する顕著な熱伝導性を示し、パワーアンプ、パワーエレクトロニクス、高周波デバイスへの使用に適している。また、単結晶ダイヤモンドは欠陥のない優れた均質基板を提供するため、より高性能で長寿命のデバイスを実現すると述べられている。産業分野でより優れた熱性能を要求する新技術・複雑技術の採用が進むにつれ、この利点はより顕著となり、単結晶ダイヤモンド基板はGaN on Diamond半導体基板の主流となるだろう。
用途別では、マイクロ波・ミリ波回路分野が最大のシェアを占めると予測される
全アプリケーション分野の中で、マイクロ波・ミリ波回路は予測期間を通じてダイヤモンド基板上GaN半導体市場を支配すると見込まれる。また、通信、防衛、航空宇宙などの産業における高周波・高電力デバイスの需要増加により、支配的地位を維持し続ける。特に、ダイヤモンド基板上GaNは高電力密度に耐える能力と優れた放熱性により、マイクロ波・ミリ波回路に固有の利点を有する。熱放散と高周波性能が極めて重要なRF増幅器、レーダーシステム、5G基地局への応用に適している。世界的な5Gネットワーク展開の加速と高性能レーダー・通信システムの需要増により、マイクロ波・ミリ波回路セグメントはさらに成長し、市場における地位を強化すると予想される。
ダイヤモンド基板上GaN半導体市場 地域別分析：
アジア太平洋地域は予測期間中に市場を支配すると予想される
市場アナリストによれば、2023年末時点で北米はダイヤモンド基板上GaN半導体材料の最大市場であり、総市場の約45％を占めていた。この地域の主導的地位は、主要な半導体メーカーの拠点であること、研究開発・革新活動の活発さ、高度な技術への健全な投資に起因する。現在、アメリカ合衆国は半導体開発分野のリーダーの一角であり、文字通り数百の組織や企業が様々な分野でのGaN技術導入に取り組んでいる。通信分野や航空宇宙産業における高性能電子デバイスの応用機会が、北米にとって強固な基盤を提供している。さらに、パワートレインの効率化への注目の高まり、電気自動車や再生可能エネルギーソリューションへの移行による進展が、この地域の成長ペースを持続させるだろう。
ダイヤモンド基板上の窒化ガリウム半導体市場における主要プレイヤー
Aixtron SE（ドイツ）
アナログ・デバイセズ社（米国）
クリー社（米国）
GaN Systems Inc.（カナダ）
インフィニオン・テクノロジーズAG（ドイツ）
マコム・テクノロジー・ソリューションズ・ホールディングス株式会社（米国）
マイクロチップ・テクノロジー社（米国）
三菱電機株式会社（日本）
NXPセミコンダクターズ（オランダ）
Qorvo, Inc.（米国）
RFHIC株式会社（韓国）
STマイクロエレクトロニクス（スイス）
テキサス・インスツルメンツ（米国）
ユナイテッド・シリコン・カーバイド社（米国）
ウルフスピード社（米国）
その他の主要プレイヤー
第1章：はじめに
1.1 範囲と対象範囲
第2章：エグゼクティブサマリー
第3章：市場概況
3.1 市場動向
3.1.1 推進要因
3.1.2 抑制要因
3.1.3 機会
3.1.4 課題
3.2 市場動向分析
3.3 PESTLE分析
3.4 ポーターの5つの力分析
3.5 産業バリューチェーン分析
3.6 エコシステム
3.7 規制環境
3.8 価格動向分析
3.9 特許分析
3.10 技術進化
3.11 投資の集中領域
3.12 輸出入分析
第4章：ダイヤモンド半導体基板上のGaN市場（タイプ別）（2018-2032年）
4.1 ダイヤモンド基板上GaN半導体市場の概要と成長要因
4.2 市場概要
4.3 単結晶ダイヤモンド
4.3.1 概要と市場概況
4.3.2 過去及び予測市場規模（金額：米ドル、数量：単位）
4.3.3 主要な市場動向、成長要因、および機会
4.3.4 地域別セグメンテーション分析
4.4 多結晶ダイヤモンド
第5章：ダイヤモンド半導体基板上のGaN市場（用途別）（2018-2032年）
5.1 ダイヤモンド半導体基板上のGaN市場の概要と成長エンジン
5.2 市場概要
5.3 RFパワーアンプ
5.3.1 概要と市場概況
5.3.2 過去および予測市場規模（金額：米ドル、数量：台数）
5.3.3 主要な市場動向、成長要因、および機会
5.3.4 地域別セグメンテーション分析
5.4 マイクロ波およびミリ波回路
5.5 レーダーセンシング装置
5.6 戦術無線機
5.7 通信衛星装置
5.8 無線インフラ
5.9 その他
第6章：ダイヤモンド半導体基板上のGaN市場（エンドユーザー別）（2018-2032年）
6.1 ダイヤモンド半導体基板上のGaN市場の概要と成長要因
6.2 市場概要
6.3 航空宇宙・防衛
6.3.1 概要と市場概況
6.3.2 過去および予測市場規模（金額：米ドル、数量：単位）
6.3.3 主要な市場動向、成長要因、および機会
6.3.4 地域別セグメンテーション分析
6.4 高電力エレクトロニクス
6.5 研究開発
6.6 その他
第7章：企業プロファイルと競合分析
7.1 競争環境
7.1.1 競合ベンチマーキング
7.1.2 ダイヤモンド基板上GaN半導体メーカー別市場シェア（2024年）
7.1.3 業界BCGマトリックス
7.1.4 ヒートマップ分析
7.1.5 合併と買収
7.2 AIXTRON SE（ドイツ）
7.2.1 会社概要
7.2.2 主要幹部
7.2.3 会社概要
7.2.4 市場における当社の役割
7.2.5 持続可能性と社会的責任
7.2.6 事業セグメント
7.2.7 製品ポートフォリオ
7.2.8 事業実績
7.2.9 主要な戦略的施策と最近の動向
7.2.10 SWOT分析
7.3 アナログ・デバイセズ社（米国）
7.4 クリー社（米国）
7.5 ガン・システムズ社（カナダ）
7.6 インフィニオン・テクノロジーズAG（ドイツ）
7.7 マコム・テクノロジー・ソリューションズ・ホールディングス社（米国）
7.8 マイクロチップ・テクノロジー社（米国）
7.9 三菱電機株式会社（日本）
7.10 NXPセミコンダクターズ（オランダ）
7.11 コーヴォ・インク（アメリカ）
7.12 RFHIC CORPORATION（韓国）
7.13 STマイクロエレクトロニクス（スイス）
7.14 テキサス・インスツルメンツ（米国）
7.15 ユナイテッド・シリコン・カーバイド社（米国）
7.16 ウルフスピード社（米国）
7.17 その他の主要プレイヤー
7.18
第8章：地域別グローバルGaN on Diamond半導体基板市場
8.1 概要
8.2 北米ダイヤモンド基板上GaN半導体市場
8.2.1 主要市場動向、成長要因および機会
8.2.2 主要企業
8.2.3 セグメント別 過去及び予測市場規模
8.2.4 タイプ別市場規模（過去実績と予測）
8.2.4.1 単結晶ダイヤモンド
8.2.4.2 多結晶ダイヤモンド
8.2.5 用途別 過去及び予測市場規模
8.2.5.1 RFパワーアンプ
8.2.5.2 マイクロ波・ミリ波回路
8.2.5.3 レーダーセンシング装置
8.2.5.4 戦術無線機
8.2.5.5 通信衛星装置
8.2.5.6 無線インフラ
8.2.5.7 その他
8.2.6 エンドユーザー別 過去及び予測市場規模
8.2.6.1 航空宇宙・防衛
8.2.6.2 高電力エレクトロニクス
8.2.6.3 研究開発
8.2.6.4 その他
8.2.7 国別 過去及び予測市場規模
8.2.7.1 米国
8.2.7.2 カナダ
8.2.7.3 メキシコ
8.3. 東欧におけるダイヤモンド半導体基板上のGaN市場
8.3.1 主要市場動向、成長要因および機会
8.3.2 主要企業
8.3.3 セグメント別 過去及び予測市場規模
8.3.4 タイプ別市場規模（過去実績と予測）
8.3.4.1 単結晶ダイヤモンド
8.3.4.2 多結晶ダイヤモンド
8.3.5 用途別 過去及び予測市場規模
8.3.5.1 RFパワーアンプ
8.3.5.2 マイクロ波・ミリ波回路
8.3.5.3 レーダーセンシング装置
8.3.5.4 戦術無線機
8.3.5.5 通信衛星装置
8.3.5.6 無線インフラ
8.3.5.7 その他
8.3.6 エンドユーザー別 過去及び予測市場規模
8.3.6.1 航空宇宙・防衛
8.3.6.2 高電力エレクトロニクス
8.3.6.3 研究開発
8.3.6.4 その他
8.3.7 国別 過去及び予測市場規模
8.3.7.1 ロシア
8.3.7.2 ブルガリア
8.3.7.3 チェコ共和国
8.3.7.4 ハンガリー
8.3.7.5 ポーランド
8.3.7.6 ルーマニア
8.3.7.7 東欧その他
8.4. 西ヨーロッパにおけるダイヤモンド半導体基板上のGaN市場
8.4.1 主要市場動向、成長要因および機会
8.4.2 主要企業
8.4.3 セグメント別 過去及び予測市場規模
8.4.4 タイプ別市場規模（過去実績と予測）
8.4.4.1 単結晶ダイヤモンド
8.4.4.2 多結晶ダイヤモンド
8.4.5 用途別 過去及び予測市場規模
8.4.5.1 RFパワーアンプ
8.4.5.2 マイクロ波・ミリ波回路
8.4.5.3 レーダーセンシング装置
8.4.5.4 戦術無線機
8.4.5.5 通信衛星装置
8.4.5.6 無線インフラ
8.4.5.7 その他
8.4.6 エンドユーザー別 過去及び予測市場規模
8.4.6.1 航空宇宙・防衛
8.4.6.2 高電力エレクトロニクス
8.4.6.3 研究開発
8.4.6.4 その他
8.4.7 国別歴史的及び予測市場規模
8.4.7.1 ドイツ
8.4.7.2 イギリス
8.4.7.3 フランス
8.4.7.4 オランダ
8.4.7.5 イタリア
8.4.7.6 スペイン
8.4.7.7 西ヨーロッパその他
8.5. アジア太平洋地域のダイヤモンド半導体基板上のGaN市場
8.5.1 主要市場動向、成長要因および機会
8.5.2 主要企業
8.5.3 セグメント別 過去及び予測市場規模
8.5.4 タイプ別市場規模（過去実績と予測）
8.5.4.1 単結晶ダイヤモンド
8.5.4.2 多結晶ダイヤモンド
8.5.5 用途別 過去及び予測市場規模
8.5.5.1 RFパワーアンプ
8.5.5.2 マイクロ波・ミリ波回路
8.5.5.3 レーダーセンシング装置
8.5.5.4 戦術無線機
8.5.5.5 通信衛星装置
8.5.5.6 無線インフラ
8.5.5.7 その他
8.5.6 エンドユーザー別 過去及び予測市場規模
8.5.6.1 航空宇宙・防衛
8.5.6.2 高電力エレクトロニクス
8.5.6.3 研究開発
8.5.6.4 その他
8.5.7 国別 過去及び予測市場規模
8.5.7.1 中国
8.5.7.2 インド
8.5.7.3 日本
8.5.7.4 韓国
8.5.7.5 マレーシア
8.5.7.6 タイ
8.5.7.7 ベトナム
8.5.7.8 フィリピン
8.5.7.9 オーストラリア
8.5.7.10 ニュージーランド
8.5.7.11 アジア太平洋地域その他
8.6. 中東・アフリカにおけるダイヤモンド半導体基板上のGaN市場
8.6.1 主要市場動向、成長要因および機会
8.6.2 主要企業
8.6.3 セグメント別 過去及び予測市場規模
8.6.4 タイプ別市場規模（過去実績と予測）
8.6.4.1 単結晶ダイヤモンド
8.6.4.2 多結晶ダイヤモンド
8.6.5 用途別 過去及び予測市場規模
8.6.5.1 RFパワーアンプ
8.6.5.2 マイクロ波・ミリ波回路
8.6.5.3 レーダーセンシング装置
8.6.5.4 戦術無線機
8.6.5.5 通信衛星装置
8.6.5.6 無線インフラ
8.6.5.7 その他
8.6.6 エンドユーザー別 過去及び予測市場規模
8.6.6.1 航空宇宙・防衛
8.6.6.2 高電力エレクトロニクス
8.6.6.3 研究開発
8.6.6.4 その他
8.6.7 国別 過去及び予測市場規模
8.6.7.1 トルコ
8.6.7.2 バーレーン
8.6.7.3 クウェート
8.6.7.4 サウジアラビア
8.6.7.5 カタール
8.6.7.6 アラブ首長国連邦
8.6.7.7 イスラエル
8.6.7.8 南アフリカ
8.7. 南米におけるダイヤモンド半導体基板上の窒化ガリウム（GaN）市場
8.7.1 主要市場動向、成長要因および機会
8.7.2 主要企業
8.7.3 セグメント別 過去及び予測市場規模
8.7.4 タイプ別市場規模（過去実績と予測）
8.7.4.1 単結晶ダイヤモンド
8.7.4.2 多結晶ダイヤモンド
8.7.5 用途別 過去及び予測市場規模
8.7.5.1 RFパワーアンプ
8.7.5.2 マイクロ波・ミリ波回路
8.7.5.3 レーダーセンシング装置
8.7.5.4 戦術無線機
8.7.5.5 通信衛星装置
8.7.5.6 無線インフラ
8.7.5.7 その他
8.7.6 エンドユーザー別 過去及び予測市場規模
8.7.6.1 航空宇宙・防衛
8.7.6.2 高電力エレクトロニクス
8.7.6.3 研究開発
8.7.6.4 その他
8.7.7 国別 過去及び予測市場規模
8.7.7.1 ブラジル
8.7.7.2 アルゼンチン
8.7.7.3 南米その他
第9章 アナリストの見解と結論
9.1 提言と総括的分析
9.2 潜在的な市場戦略
第10章 研究方法論
10.1 研究プロセス
10.2 主要調査
10.3 二次調査
Q1: ダイヤモンド基板上の窒化ガリウム半導体市場調査レポートにおける予測期間はどの程度ですか？
A1: ダイヤモンド基板上GaN半導体市場調査レポートにおける予測期間は2024年から2032年です。
Q2: ダイヤモンド基板上のGaN半導体市場の主要プレイヤーは誰ですか？
A2: Aixtron SE（ドイツ）、Analog Devices, Inc.（米国）、Cree, Inc.（米国）、GaN Systems Inc.（カナダ）、Infineon Technologies AG（ドイツ）およびその他の主要企業です。
Q3: ダイヤモンド基板上のGaN半導体市場のセグメントは？
A3: ダイヤモンド基板上GaN半導体市場は、タイプ、用途、エンドユーザー、地域別に分類されます。タイプ別では、単結晶ダイヤモンド、多結晶ダイヤモンドに分類されます。用途別では、高周波電力増幅器、マイクロ波・ミリ波回路、レーダー感知装置、戦術無線機、通信衛星機器、無線インフラ、その他に分類されます。エンドユーザー別では、航空宇宙・防衛、高電力エレクトロニクス、研究開発、その他に分類されます。地域別では、北米（米国、カナダ、メキシコ）、東欧（ブルガリア、チェコ共和国、ハンガリー、ポーランド、ルーマニア、その他東欧）、西欧（ドイツ、英国、フランス、オランダ、イタリア、ロシア、スペイン、その他西ヨーロッパ）、アジア太平洋（中国、インド、日本、東南アジアなど）、南アメリカ（ブラジル、アルゼンチンなど）、中東・アフリカ（サウジアラビア、南アフリカなど）で分析されます。
Q4: ダイヤモンド半導体基板上のGaN（窒化ガリウム）市場とは何ですか？
A4: ダイヤモンド基板上のGaN（窒化ガリウム）半導体市場は、ダイヤモンド基板上に窒化ガリウムを含む半導体の研究、製造、使用に関連する産業を指します。これにより放熱性と電流伝導性が向上するため、高電力・高周波用途に適しています。ダイヤモンド基板上のGaNは高温環境下での動作特性から、パワーエレクトロニクス、RF関連アプリケーション、光電子デバイスにおいて極めて重要です。この市場は、通信、自動車、家電など多様な分野における高性能電子機器の需要拡大に大きく牽引されています。
Q5: ダイヤモンド基板上のGaN半導体市場の規模は？
A5: ダイヤモンド基板上GaN半導体市場規模は2023年に345億米ドルと評価され、2024年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）11.2%で成長し、2032年までに897億米ドルに達すると予測されています。
Chapter 1: Introduction
1.1 Scope and Coverage
Chapter 2:Executive Summary
Chapter 3: Market Landscape
3.1 Market Dynamics
3.1.1 Drivers
3.1.2 Restraints
3.1.3 Opportunities
3.1.4 Challenges
3.2 Market Trend Analysis
3.3 PESTLE Analysis
3.4 Porter’s Five Forces Analysis
3.5 Industry Value Chain Analysis
3.6 Ecosystem
3.7 Regulatory Landscape
3.8 Price Trend Analysis
3.9 Patent Analysis
3.10 Technology Evolution
3.11 Investment Pockets
3.12 Import-Export Analysis
Chapter 4: GaN on Diamond Semiconductor Substrates Market by Type (2018-2032)
4.1 GaN on Diamond Semiconductor Substrates Market Snapshot and Growth Engine
4.2 Market Overview
4.3 Single Crystal Diamond
4.3.1 Introduction and Market Overview
4.3.2 Historic and Forecasted Market Size in Value USD and Volume Units
4.3.3 Key Market Trends, Growth Factors, and Opportunities
4.3.4 Geographic Segmentation Analysis
4.4 Polycrystalline Diamond
Chapter 5: GaN on Diamond Semiconductor Substrates Market by Application (2018-2032)
5.1 GaN on Diamond Semiconductor Substrates Market Snapshot and Growth Engine
5.2 Market Overview
5.3 RF Power Amplifier
5.3.1 Introduction and Market Overview
5.3.2 Historic and Forecasted Market Size in Value USD and Volume Units
5.3.3 Key Market Trends, Growth Factors, and Opportunities
5.3.4 Geographic Segmentation Analysis
5.4 Microwave & Millimetre Wave Circuits
5.5 Radar Sensing Equipment
5.6 Tactical Radios
5.7 Communications Satellite Equipment
5.8 Wireless Infrastructure
5.9 Others
Chapter 6: GaN on Diamond Semiconductor Substrates Market by End User (2018-2032)
6.1 GaN on Diamond Semiconductor Substrates Market Snapshot and Growth Engine
6.2 Market Overview
6.3 Aerospace & Defense
6.3.1 Introduction and Market Overview
6.3.2 Historic and Forecasted Market Size in Value USD and Volume Units
6.3.3 Key Market Trends, Growth Factors, and Opportunities
6.3.4 Geographic Segmentation Analysis
6.4 High Power Electronics
6.5 Research & Development
6.6 Others
Chapter 7: Company Profiles and Competitive Analysis
7.1 Competitive Landscape
7.1.1 Competitive Benchmarking
7.1.2 GaN on Diamond Semiconductor Substrates Market Share by Manufacturer (2024)
7.1.3 Industry BCG Matrix
7.1.4 Heat Map Analysis
7.1.5 Mergers and Acquisitions
7.2 AIXTRON SE (GERMANY)
7.2.1 Company Overview
7.2.2 Key Executives
7.2.3 Company Snapshot
7.2.4 Role of the Company in the Market
7.2.5 Sustainability and Social Responsibility
7.2.6 Operating Business Segments
7.2.7 Product Portfolio
7.2.8 Business Performance
7.2.9 Key Strategic Moves and Recent Developments
7.2.10 SWOT Analysis
7.3 ANALOG DEVICES INC. (USA)
7.4 CREE INC. (USA)
7.5 GAN SYSTEMS INC. (CANADA)
7.6 INFINEON TECHNOLOGIES AG (GERMANY)
7.7 MACOM TECHNOLOGY SOLUTIONS HOLDINGS INC. (USA)
7.8 MICROCHIP TECHNOLOGY INC. (USA)
7.9 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION (JAPAN)
7.10 NXP SEMICONDUCTORS (NETHERLANDS)
7.11 QORVO INC. (USA)
7.12 RFHIC CORPORATION (SOUTH KOREA)
7.13 STMICROELECTRONICS (SWITZERLAND)
7.14 TEXAS INSTRUMENTS (USA)
7.15 UNITED SILICON CARBIDE INC. (USA)
7.16 WOLFSPEED INC. (USA)
7.17 OTHER KEY PLAYERS
7.18
Chapter 8: Global GaN on Diamond Semiconductor Substrates Market By Region
8.1 Overview
8.2. North America GaN on Diamond Semiconductor Substrates Market
8.2.1 Key Market Trends, Growth Factors and Opportunities
8.2.2 Top Key Companies
8.2.3 Historic and Forecasted Market Size by Segments
8.2.4 Historic and Forecasted Market Size by Type
8.2.4.1 Single Crystal Diamond
8.2.4.2 Polycrystalline Diamond
8.2.5 Historic and Forecasted Market Size by Application
8.2.5.1 RF Power Amplifier
8.2.5.2 Microwave & Millimetre Wave Circuits
8.2.5.3 Radar Sensing Equipment
8.2.5.4 Tactical Radios
8.2.5.5 Communications Satellite Equipment
8.2.5.6 Wireless Infrastructure
8.2.5.7 Others
8.2.6 Historic and Forecasted Market Size by End User
8.2.6.1 Aerospace & Defense
8.2.6.2 High Power Electronics
8.2.6.3 Research & Development
8.2.6.4 Others
8.2.7 Historic and Forecast Market Size by Country
8.2.7.1 US
8.2.7.2 Canada
8.2.7.3 Mexico
8.3. Eastern Europe GaN on Diamond Semiconductor Substrates Market
8.3.1 Key Market Trends, Growth Factors and Opportunities
8.3.2 Top Key Companies
8.3.3 Historic and Forecasted Market Size by Segments
8.3.4 Historic and Forecasted Market Size by Type
8.3.4.1 Single Crystal Diamond
8.3.4.2 Polycrystalline Diamond
8.3.5 Historic and Forecasted Market Size by Application
8.3.5.1 RF Power Amplifier
8.3.5.2 Microwave & Millimetre Wave Circuits
8.3.5.3 Radar Sensing Equipment
8.3.5.4 Tactical Radios
8.3.5.5 Communications Satellite Equipment
8.3.5.6 Wireless Infrastructure
8.3.5.7 Others
8.3.6 Historic and Forecasted Market Size by End User
8.3.6.1 Aerospace & Defense
8.3.6.2 High Power Electronics
8.3.6.3 Research & Development
8.3.6.4 Others
8.3.7 Historic and Forecast Market Size by Country
8.3.7.1 Russia
8.3.7.2 Bulgaria
8.3.7.3 The Czech Republic
8.3.7.4 Hungary
8.3.7.5 Poland
8.3.7.6 Romania
8.3.7.7 Rest of Eastern Europe
8.4. Western Europe GaN on Diamond Semiconductor Substrates Market
8.4.1 Key Market Trends, Growth Factors and Opportunities
8.4.2 Top Key Companies
8.4.3 Historic and Forecasted Market Size by Segments
8.4.4 Historic and Forecasted Market Size by Type
8.4.4.1 Single Crystal Diamond
8.4.4.2 Polycrystalline Diamond
8.4.5 Historic and Forecasted Market Size by Application
8.4.5.1 RF Power Amplifier
8.4.5.2 Microwave & Millimetre Wave Circuits
8.4.5.3 Radar Sensing Equipment
8.4.5.4 Tactical Radios
8.4.5.5 Communications Satellite Equipment
8.4.5.6 Wireless Infrastructure
8.4.5.7 Others
8.4.6 Historic and Forecasted Market Size by End User
8.4.6.1 Aerospace & Defense
8.4.6.2 High Power Electronics
8.4.6.3 Research & Development
8.4.6.4 Others
8.4.7 Historic and Forecast Market Size by Country
8.4.7.1 Germany
8.4.7.2 UK
8.4.7.3 France
8.4.7.4 The Netherlands
8.4.7.5 Italy
8.4.7.6 Spain
8.4.7.7 Rest of Western Europe
8.5. Asia Pacific GaN on Diamond Semiconductor Substrates Market
8.5.1 Key Market Trends, Growth Factors and Opportunities
8.5.2 Top Key Companies
8.5.3 Historic and Forecasted Market Size by Segments
8.5.4 Historic and Forecasted Market Size by Type
8.5.4.1 Single Crystal Diamond
8.5.4.2 Polycrystalline Diamond
8.5.5 Historic and Forecasted Market Size by Application
8.5.5.1 RF Power Amplifier
8.5.5.2 Microwave & Millimetre Wave Circuits
8.5.5.3 Radar Sensing Equipment
8.5.5.4 Tactical Radios
8.5.5.5 Communications Satellite Equipment
8.5.5.6 Wireless Infrastructure
8.5.5.7 Others
8.5.6 Historic and Forecasted Market Size by End User
8.5.6.1 Aerospace & Defense
8.5.6.2 High Power Electronics
8.5.6.3 Research & Development
8.5.6.4 Others
8.5.7 Historic and Forecast Market Size by Country
8.5.7.1 China
8.5.7.2 India
8.5.7.3 Japan
8.5.7.4 South Korea
8.5.7.5 Malaysia
8.5.7.6 Thailand
8.5.7.7 Vietnam
8.5.7.8 The Philippines
8.5.7.9 Australia
8.5.7.10 New Zealand
8.5.7.11 Rest of APAC
8.6. Middle East & Africa GaN on Diamond Semiconductor Substrates Market
8.6.1 Key Market Trends, Growth Factors and Opportunities
8.6.2 Top Key Companies
8.6.3 Historic and Forecasted Market Size by Segments
8.6.4 Historic and Forecasted Market Size by Type
8.6.4.1 Single Crystal Diamond
8.6.4.2 Polycrystalline Diamond
8.6.5 Historic and Forecasted Market Size by Application
8.6.5.1 RF Power Amplifier
8.6.5.2 Microwave & Millimetre Wave Circuits
8.6.5.3 Radar Sensing Equipment
8.6.5.4 Tactical Radios
8.6.5.5 Communications Satellite Equipment
8.6.5.6 Wireless Infrastructure
8.6.5.7 Others
8.6.6 Historic and Forecasted Market Size by End User
8.6.6.1 Aerospace & Defense
8.6.6.2 High Power Electronics
8.6.6.3 Research & Development
8.6.6.4 Others
8.6.7 Historic and Forecast Market Size by Country
8.6.7.1 Turkiye
8.6.7.2 Bahrain
8.6.7.3 Kuwait
8.6.7.4 Saudi Arabia
8.6.7.5 Qatar
8.6.7.6 UAE
8.6.7.7 Israel
8.6.7.8 South Africa
8.7. South America GaN on Diamond Semiconductor Substrates Market
8.7.1 Key Market Trends, Growth Factors and Opportunities
8.7.2 Top Key Companies
8.7.3 Historic and Forecasted Market Size by Segments
8.7.4 Historic and Forecasted Market Size by Type
8.7.4.1 Single Crystal Diamond
8.7.4.2 Polycrystalline Diamond
8.7.5 Historic and Forecasted Market Size by Application
8.7.5.1 RF Power Amplifier
8.7.5.2 Microwave & Millimetre Wave Circuits
8.7.5.3 Radar Sensing Equipment
8.7.5.4 Tactical Radios
8.7.5.5 Communications Satellite Equipment
8.7.5.6 Wireless Infrastructure
8.7.5.7 Others
8.7.6 Historic and Forecasted Market Size by End User
8.7.6.1 Aerospace & Defense
8.7.6.2 High Power Electronics
8.7.6.3 Research & Development
8.7.6.4 Others
8.7.7 Historic and Forecast Market Size by Country
8.7.7.1 Brazil
8.7.7.2 Argentina
8.7.7.3 Rest of SA
Chapter 9 Analyst Viewpoint and Conclusion
9.1 Recommendations and Concluding Analysis
9.2 Potential Market Strategies
Chapter 10 Research Methodology
10.1 Research Process
10.2 Primary Research
10.3 Secondary Research
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